Камрады, напоминаю всем, что в понедельник все хорошие мальчики и девочки должны притопать в универ и усиленно начать учиться!

ПОЗДРАВЛЯЮ
ВСЕХ
СО
СДАННОЙ
!!!СЕССИЕЙ!!!

Степанов:

• Э: 11.01 в 10:00

Шеметова:

• К: 14.01 в 10.00
• Э: 15.01 в 14.00

 
Черкасов:

• К: 18.01 в 10 .00
• Э: 19.01 в 10.00

Бородулин:

• К: 22.01 в 10.00
• Э: 23.01 в 09.20

В меню навигации появились ссылки на электронный каталог МЭИшной библиотеки. Там можно найти книги, и поглядеть, есть ли книга в библиотеке.

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА №1 [ШЕМЕТОВА]

Вариант 1:

1. Принцип действия и технологические методы изготовления приборов I поколения.
2. Классификация полупроводниковых материалов по химическому составу и структуре.
3. Расшифруйте 40(5КДБ0,7)/(300КЭФ50).
4. Опишите метод диффузии примеси в потоке газа-носителя. Какие состояния используют в данном методе?
5.  
6.  
7.  

Вариант 2:

1. Принцип действия и технологические методы изготовления приборов II поколения.
2. Приведите примеры и дайте пояснения метода трансмутационного легирование кремния.
3. Достоинства точечного диода по сравнению с плоскостными.
4. Обоснуйте взаимосвязь между коэффициентом диффузии и предельной растворимости примеси в кремнии.
5. Опишите вакансионный механизм диффузии
6. В каких случаях используют метод сплавления?
7. Какое влияние оказывает SiO2 на распределение примеси при диффузии.

Вариант 3:

1. Что вам известно о IV поколении эл. приборов
2. 1А1КЭФ 10/0.5
3. Почему при бескассетном методе сплавления процесс проводят в два этапа?
4. Начертить графики распределения примеси в кремнии придиффузии из ограниченного источника при разных значениях времени.
5. Опишите междоузельный механизм диффузии
6. Опишите метод лазерного легирования
7. Опишите метод диффузии в отпаянных ампулах. Недостатки метода и его модификации.

Вариант 4:

1. Принцип действия и технологические методы изготовления приборов III поколения.
2. Возможности управления трансмутационным легированием.
3. Опишите кассетный метод сплавления.
4. Напишите граничные условия и зависимость N(x,t) диффузии из НЕограниченного источника.
5. Почему уменьшение площади pn-перехода плоскостного диода приводит к увеличению предельной частоты?
6. Как можно управлять пробивными напряжениями диф. pn-перехода?
7. Влияние окисления кремния на глубину залегания примеси.

Вариант 5:

1. Что такое технологическая интеграция?
2. В чём состоят достоинства и недостатки трансмутационного легирования?
3. Что такое лазерное легирование и когда оно применяется?
4. Напишите граничные условия и зависимость N(x,t) диффузии из ограниченного источника.
5. Какие вы знаете механизмы диффузии? Сравните энергии активации разных механизмов.
6. Каким образом можно регулировать предельную частоту выпрямления точечного диода?
7. Какие возникают проблемы при легировании кремния алюминием?

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА №2 [ШЕМЕТОВА]

Вариант 1:

• Достоинства метода ионного легирования.
• Как осуществляется сепарирование ионов?
• Что такое длина пробега и проецированный пробег? Что определяет длину пробега?
• Создание контактов к "мелким" pn-переходам.
• Фотохимические процессы в позитивных фоторезистах.

Вариант 2:

• Создание МДП-транзистора с самосовмещённым изолированным затвором.
• Как сообщается ионам необходимая кинетическая энергия.
• Распределение примеси в аморфной мишени. Какую мишень называют аморфной?
• Этапы процесса прямой фотолитографии.
• Недостаточное экспонирование

Вариант 3:

• Получение заглубленных слоёв SiO2 методом ионного легирования.
• Как определить дозу ионов?
• Что такое каналирование . Распределение примеси при идеальном каналировании.
• Обращеная фотолитография.
• Обработка поверхности перед нанесением фоторезиста.

Вариант 4:

• Фотохимические процессы в негативных фоторезисторах.
• Совмещение и экпонирование в фотолитографии.
• Ограничения метода ионного легирования.
• Как получать ионы в установках ионного легирования.
• Что такое критический угол каналирования? Распределение примеси при реальном каналировании.